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集成電路工藝培訓班

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一、集成電路制造的前工藝集成技術

二、集成電路制造的后道工藝集成技術

三、PVD工藝技術

四、CVD工藝技術

五、litho工藝技術

六、刻蝕的基本原理

七、IBE刻蝕原理及設備

八、RIE刻蝕原理及設備

九、ICP刻蝕原理及設備

十、工藝過程、檢測及儀器

十一、氧化

　　 1.　二氧化硅（SiO2）的性質(zhì)及作用

　　 2.　熱氧化生長SiO2

十二、　光刻與刻蝕

　　 1.　光刻工藝流程
　　 2.　光刻膠的基本屬性

十三、　摻雜

　　 1.　擴散　
　　 2.　離子注入

十四、　淀積

　　 1.　物理氣相淀積

　　 2.　化學氣相淀積

十五、　接觸與互連

十六、　CMOS工藝主要流程

十七、前端閘極設計、

十八、 信道結構、 源汲極淺結構，以及

十九、 后端銅導線工藝整合

二十、總結與強化講解

★ 外延生長
★ 掩膜制版工藝
★ 光刻
★ 熱氧化
★ 摻雜工藝（熱擴散、離子注入）
★ 刻蝕
★ 化學氣相淀積
★ 鍍膜
★ 集成電路工藝集成技術(MOS工藝、雙極型工藝)

一、集成電路各類產(chǎn)品與應用

二、常用材料使用簡介

三、集成電路英文應用

四、集成電路廠務與環(huán)境

五、封裝基礎知識

六、集成SOP學習

七、集成電路設備

九、應急處理

十、質(zhì)量環(huán)境及工作安全教育

十一、集成電路封裝
1，封裝概念
2、封裝的目的和要求
3、封裝的技術層次
4、封裝技術的歷史和發(fā)展
5、封裝的分類
6、封裝業(yè)的發(fā)展

十二、封裝制造最先進的封裝和集成技術解決方案，包括FOWLP、PoP、FCCSP、ETS、EPS、EDS、FC-QFN、InFO、Coreless、Silicon Interposer、TSV、SiP、IPD、RDL、Fine pitch Copper Pillar等；

十三、長期困擾大多數(shù)同行的常見技術難題及其對應的策略與建議：包括如何進行封裝選型、如何進行封裝的Cost Down、如何設計低成本高速、高性能的封裝、如何有效地進行封裝設計的電性能SI/PI評估與仿真分析、如何進行封裝系統(tǒng)的熱分析與熱管理、量產(chǎn)封裝的可靠性設計與實效分析、芯片-封裝-系統(tǒng)的協(xié)同設計等。

十四、集成電路多芯片組件（MCM）封裝技術

十五、集成電路測試信號鏈接方法

十六、集成電路測試方法

十七、集成電路測試與封裝技巧